Shockley, William Bradford

Brits-Amerikaans fysicus, (13.02.1910 – 12.08.1989)

Mijlpalen:

1936: Promotie in de fysica aan het Massachusetts Institute of Technology.

1946: Onderzoek op het gebied van de halfgeleiders. Door toeval ontdekte hij, dat kleine hoeveelheden verontreinigingen het geleidend vermogen van germaniumkristallen verhoogden.

1948: Samen met Bardeen en Brattain ontwikkelde hij een apparaat, waarmee stromen in dezelfde richting gelijktijdig versterkt konden worden (transistor).

1950: Verschijnen van zijn boek “Electrons and Holes in Semiconductors”. Begin van massaproductie van transistoren.

1956: Nobelprijs voor fysica samen met Bardeen en Houses.

1963: Hoogleraar aan de Stanford Universiteit. Onderzoek naar het ferromagnetisme.

Geef een reactie

Je e-mailadres wordt niet gepubliceerd. Verplichte velden zijn gemarkeerd met *

*

De volgende HTML tags en attributen zijn toegestaan: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Onderdeel van Informatie Over